Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

STD3NK80Z-1

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STD3NK80Z-1
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	SuperMESH™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número da parte base	STD3N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Dissipação de energia (Max)	70W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V