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STB19NM65N

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STB19NM65N
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ II
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número da parte base	STB19N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 7.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)	150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	15.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V