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RJP60F4DPM-00#T1

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoria do Produto:	Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica:	RJP60F4DPM-00#T1
Descrição:	IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoria do Produto	Transistors - IGBTs - Single
Série	-
Tipo IGBT	Trench
Embalagem	Tube
Tipo de entrada	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	41.2W
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-3PFM, SC-93-3
Condição de teste	400V, 30A, 5Ohm, 15V
Número da parte base	RJP60F
Comutação de energia	-
Td (on/off) @ 25°C	45ns/70ns
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-3PFM
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic	1.82V @ 15V, 30A
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	60A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	600V