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HP8S36TB

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	HP8S36TB
Descrição:	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Potência - Máximo	29W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 32A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	27A, 80A