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EMF24T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: EMF24T2R
Descrição: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz, 180MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores EMT6
Resistor - Base de Emissores (R2) 10kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA, 150mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

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Achados de Pechincha

EMF17T2R
ROHM Semiconductor
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DDC143TH-7
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