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QJD1210SA1

Fabricantes: Powerex, Inc.
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: QJD1210SA1
Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Powerex, Inc.
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Bulk
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 520W
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 34mA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8200pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A

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Achados de Pechincha

QJD1210011
Powerex, Inc.
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QJD1210010
Powerex, Inc.
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LP1030DK1-G
Microchip Technology
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