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SMMBTA13LT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: SMMBTA13LT1G
Descrição: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 225mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número da parte base MMBTA13
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 125MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 300mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 30V

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BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
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BCW61AE6327HTSA1
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