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NSBC114YDP6T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSBC114YDP6T5G
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 339mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-963
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base NSBC1*
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-963
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em Estoque 6647 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Cotação de solicitação

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Achados de Pechincha

DME914C10R
Panasonic Electronic Components
$0
EMD2FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated
$0
L401E3RP
Littelfuse Inc.
$0.5
L401E3AP
Littelfuse Inc.
$0.5
L601E5
Littelfuse Inc.
$0.5