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NSBC114EPDP6T5G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoria do Produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica:	NSBC114EPDP6T5G
Descrição:	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoria do Produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série	-
Embalagem	Digi-Reel®
Parte Status	Active
Potência - Máximo	339mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-963
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número da parte base	NSBC1*
Resistor - Base (R1)	10kOhms
Frequência - Transição	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-963
Resistor - Base de Emissores (R2)	10kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	100mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	50V