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EMZ1DXV6T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: EMZ1DXV6T1G
Descrição: TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 500mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor NPN, PNP
Número da parte base EMZ1
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 180MHz, 140MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-563
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 60V

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BC858CDXV6T5G
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