Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | PMGD290XN,115 |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchMOS™ |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 410mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-TSSOP |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 860mA |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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