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BLT80,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: BLT80,115
Descrição: RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar -
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
Tipo de transistor NPN
Número da parte base BLT80
Temperatura operacional 175°C (TJ)
Frequência - Transição 900MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223
Figura do ruído (dB Typ @ f) -
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 250mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 150mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 10V

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BFG97,135
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