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UTV8100B

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: UTV8100B
Descrição: RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar 8.5dB ~ 9.5dB
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 290W
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso 55RT
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 200°C (TJ)
Frequência - Transição 470MHz ~ 860MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores 55RT
Figura do ruído (dB Typ @ f) -
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 15A
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 60V

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