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MRF581

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: MRF581
Descrição: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganhar 13dB ~ 15.5dB
Série -
Embalagem Bulk
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.25W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Micro-X ceramic (84C)
Tipo de transistor NPN
Número da parte base MRF581
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição 5GHz
Pacote de dispositivos de fornecedores Micro-X ceramic (84C)
Figura do ruído (dB Typ @ f) 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 200mA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 18V

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Achados de Pechincha

MRF559G
Microsemi Corporation
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MRF555T
Microsemi Corporation
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DDTA144TE-7-F
Diodes Incorporated
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