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APTCV50H60T3G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoria do Produto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APTCV50H60T3G
Descrição: IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoria do Produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Parte Status Active
Potência - Máximo 176W
Configuração Full Bridge
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Pacote / Caso SP3
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores SP3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 80A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 250µA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

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