Fabricantes: | Microsemi Corporation |
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Categoria do Produto: | Transistors - IGBTs - Modules |
Ficha técnica: | APTCV50H60T3G |
Descrição: | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Microsemi Corporation |
Categoria do Produto | Transistors - IGBTs - Modules |
Entrada | Standard |
Série | - |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 176W |
Configuração | Full Bridge |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Pacote / Caso | SP3 |
Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SP3 |
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 80A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 250µA |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 600V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$58.31 | $57.14 | $56.00 |