Fabricantes: | Microsemi Corporation |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | APTC90DAM60T1G |
Descrição: | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Microsemi Corporation |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tray |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Super Junction |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | SP1 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 462W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SP1 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 900V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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