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APT50GN120B2G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoria do Produto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: APT50GN120B2G
Descrição: IGBT 1200V 134A 543W TO-247
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoria do Produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 315nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 543W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3 Variant
Condição de teste 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Comutação de energia 4495µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 28ns/320ns
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 134A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 150A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em Estoque 19 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.31 $11.08 $10.86

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