Fabricantes: | Microsemi Corporation |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | APT25SM120B |
Descrição: | POWER MOSFET - SIC |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Microsemi Corporation |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Bulk |
Vgs (Max) Vgs (Max) | +25V, -10V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
Dissipação de energia (Max) | 175W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 20V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1200V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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