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NAND01GW3B2CN6E

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: NAND01GW3B2CN6E
Descrição: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria do Produto Memory
Série -
Embalagem Tray
Tecnologia FLASH - NAND
Tempo de acesso 25ns
Tamanho da memória 1Gb (128M x 8)
Tipo de memória Non-Volatile
Parte Status Obsolete
Formato de memória FLASH
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Número da parte base NAND01G-A
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura operacional -40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivos de fornecedores 48-TSOP
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 25ns

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Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

NAND01GW3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
$0
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
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IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$0
71V30L35TFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
$0
IDT71V256SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$0