Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

MT47H512M4THN-3:E TR

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: MT47H512M4THN-3:E TR
Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria do Produto Memory
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tempo de acesso 450ps
Tamanho da memória 2Gb (512M x 4)
Tipo de memória Volatile
Parte Status Obsolete
Formato de memória DRAM
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 63-FBGA
Frequência do relógio 333MHz
Número da parte base MT47H512M4
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura operacional 0°C ~ 85°C (TC)
Pacote de dispositivos de fornecedores 63-FBGA (9x11.5)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 15ns

Em Estoque 0 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Cotação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato o mais rápido possível

Achados de Pechincha

M95256-RMN6P
STMicroelectronics
$0
MT46V64M8FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
$0
IS42S32160A-75BLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS42S32160A-75BL
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
AT34C02CY6-YH-T
Microchip Technology
$0
MT49H8M36BM-33 TR
Micron Technology Inc.
$0