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MT47H256M8EB-3:C

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: MT47H256M8EB-3:C
Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria do Produto Memory
Série -
Embalagem Tray
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tempo de acesso 450ps
Tamanho da memória 2Gb (256M x 8)
Tipo de memória Volatile
Parte Status Obsolete
Formato de memória DRAM
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 60-TFBGA
Frequência do relógio 333MHz
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura operacional 0°C ~ 85°C (TC)
Pacote de dispositivos de fornecedores 60-FBGA (9x11.5)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 15ns

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Achados de Pechincha

MT41K2G8KJR-125:A
Micron Technology Inc.
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MT47H256M8EB-3:C TR
Micron Technology Inc.
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MT41K2G8KJR-125:A TR
Micron Technology Inc.
$0
IS43QR16256A-093PBLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS43QR16256A-083RBLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS43QR16256A-083RBL
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0