Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | IRF7351TRPBF |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 2W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número da parte base | IRF7351PBF |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 60V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 8A |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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