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IPW60R090CFD7XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPW60R090CFD7XKSA1
Descrição: HIGH POWER_NEW
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 570µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 11.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2103pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em Estoque 241 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.54 $6.41 $6.28

Cotação de solicitação

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Achados de Pechincha

SIHB065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
$6.52
SIHG35N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$6.51
IXFP72N30X3M
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$6.5
NTHL065N65S3F
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$6.48
STF21NM60ND
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$6.37
SIHG33N60E-GE3
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$6.36