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IPS65R1K4C6AKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPS65R1K4C6AKMA1
Descrição: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 28W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em Estoque 1586 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.91 $0.89 $0.87

Cotação de solicitação

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Achados de Pechincha

RSS100N03FRATB
ROHM Semiconductor
$0
FDD3N50NZTM
ON Semiconductor
$0
TP86R203NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FDD5N50NZFTM
ON Semiconductor
$0
PSMN017-30EL,127
Nexperia USA Inc.
$0.91
NTD4904NT4G
ON Semiconductor
$0