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IPI65R190CFDXKSA2

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPI65R190CFDXKSA2
Descrição:	HIGH POWER_LEGACY
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™ CFD2
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 700µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)	151W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V