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IPD60R600P7SAUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD60R600P7SAUMA1
Descrição: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ P7
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
Dissipação de energia (Max) 30W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Achados de Pechincha

RQ1E050RPTR
ROHM Semiconductor
$0.31
BUK7Y25-80EX
Nexperia USA Inc.
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CPC3708CTR
IXYS Integrated Circuits Division
$0
BUK7Y15-60EX
Nexperia USA Inc.
$0
NTMFS4985NFT3G
ON Semiconductor
$0.32
SKI03087
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