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IPD60R2K0C6ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD60R2K0C6ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 600V TO252
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ C6
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 760mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 22.3W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Achados de Pechincha

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TPC8092,LQ(S
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