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IPB120N10S403ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB120N10S403ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH TO263-3
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10120pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em Estoque 0 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.82 $1.78 $1.75

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Achados de Pechincha

FDMS86550ET60
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$0
FCP16N60N-F102
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