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IPB100N04S2L03ATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB100N04S2L03ATMA2
Descrição: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em Estoque 0 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

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