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IPB042N10N3GE8187ATMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | OptiMOS™ |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 214W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | D²PAK (TO-263AB) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.38 | $1.35 | $1.33 |
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