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IXTQ182N055T

Fabricantes:	IXYS
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTQ182N055T
Descrição:	MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	IXYS
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchMV™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max)	360W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4850pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	182A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V