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IXFN360N10T

Fabricantes:	IXYS
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXFN360N10T
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	IXYS
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HiPerFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 180A, 10V
Dissipação de energia (Max)	830W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	505nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	36000pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	360A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V