Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

IXFT12N100F

Fabricantes:	IXYS-RF
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXFT12N100F
Descrição:	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	IXYS-RF
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HiPerRF™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-268 (IXFT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V