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GP2M012A080NG

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GP2M012A080NG
Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 416W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3370pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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