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GP1M009A090N
| Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | GP1M009A090N |
| Descrição: | MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Global Power Technologies Group |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.75A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 312W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3PN |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 900V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2324pF @ 25V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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