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EPC2111ENGRT
| Fabricantes: | EPC |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | EPC2111ENGRT |
| Descrição: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Fet recurso | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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