Fabricantes: | EPC |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | EPC2031ENGRT |
Descrição: | GANFET NCH 60V 31A DIE |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | EPC |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | eGaN® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | +6V, -4V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 15mA |
Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 5V |
Dissipação de energia (Max) | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 60V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 300V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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