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DMN3190LDW-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	DMN3190LDW-7
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Cut Tape (CT)
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	320mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 1.3A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1A