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DMMT5551-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: DMMT5551-7
Descrição: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Parte Status Active
Potência - Máximo 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6
Tipo de transistor 2 NPN (Dual) Matched Pair
Número da parte base DMMT5551
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência - Transição 300MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-26
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 200mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 50nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 160V

Em Estoque 3000 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.08 $0.08 $0.08

Cotação de solicitação

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Achados de Pechincha

MMDT4126-7
Diodes Incorporated
$0.08
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BC857BV-TP
Micro Commercial Co
$0
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
$0
UP01213G0L
Panasonic Electronic Components
$0