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DMG4N60SCT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMG4N60SCT
Descrição: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max) 113W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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Achados de Pechincha

NVTFS5820NLTAG
ON Semiconductor
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IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
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IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
$0
IPU60R1K4C6BKMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R380E6BTMA1
Infineon Technologies
$0