Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | RS1E200BNTB |
Descrição: | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-HSOP |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.55 | $0.54 | $0.53 |